无晶界性能稳定
单晶硅
单晶硅是一种具有完整晶体结构的硅材料。它可以掺杂成N型硅或P型硅，以满足不同的应用需求，并成为半导体和光学领域的核心材料。
单晶硅是一种具有完整晶体结构的硅材料。它可以掺杂成N型硅或P型硅，以满足不同的应用需求，并成为半导体和光学领域的核心材料。
单晶硅是半导体领域常用的材料，具有优异的性能。骏德陶瓷是一家超硬材料制造商，可提供N型硅和P型硅的精密加工服务。凭借我们丰富的经验和齐全的设备，我们能够完美满足您的应用需求。
下表列出了氧化镁稳定氧化锆陶瓷的性能参数。这些数值仅供参考，可能因批次条件略有不同。
| 物理与晶体性能 | 单位 | 单晶硅 |
|---|---|---|
| 晶格结构 | — | Diamond cubic (Fd3m) |
| 晶格常数 | a (Å) | 5.431 |
| 密度 | ρ (g/cm³) | 2.329 |
| 熔点 | T_m (°C) | 1414 |
| 力学与热学性能 | 单位 | 单晶硅 |
|---|---|---|
| 杨氏模量 | E (GPa) | 130 - 188 |
| 泊松比 | v | 0.22 |
| 断裂韧性 | K_IC (MPa·m¹/²) | 0.6 - 0.9 |
| 热导率 | κ (W/m·K) | 148 @ 300 K |
| 比热容 | C_p (J/kg·K) | 700 @ 300 K |
| 热膨胀系数 | α (10⁻⁶/K) | 2.6 @ 25 - 300 °C |
| 半导体与物理性能 | 单位 | 单晶硅 |
|---|---|---|
| 禁带宽度 | E_g (eV) | 1.12 @ 300 K |
| 本征载流子浓度 | n_i (cm⁻³) | 1 × 10¹⁰ @ 300 K |
| 相对介电常数 | ε_r | 11.7 |
| 电子迁移率 | μ_n (cm²/V·s) | ≈ 1,350 @ 300 K |
| 空穴迁移率 | μ_p (cm²/V·s) | ≈ 450 @ 300 K |
| 折射率 | n | 3.88 |
| 表面张力 | γ (J/m²) | 1.24 |
在单晶硅（Mono-Si）性能受限的严苛环境中，碳化硅（SiC）提供了一种更优的替代方案。碳化硅具有更高的导热性、更宽的带隙和更好的稳定性，是高温高功率应用的理想选择。
单晶硅是一种纯度很高的材料，具有均匀的晶体结构，广泛应用于半导体、光学和微机电系统（MEMS）等领域。
我们可以根据图纸加工晶圆、块体、环、板、透镜、窗口和定制精密零件。
常见应用包括半导体器件、MEMS 组件、光学窗口、红外部件、精密夹具和高稳定性结构部件。
Macor is a machinable glass-ceramic made from fluorophlogopite mica crystals embedded in a borosilicate glass matrix. This composition gives it a rare
combination of metal-like machinability, excellent electrical insulation, low thermal conductivity, and stability up to 1000°C (no load) while maintaining very tight tolerances.
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